Головна
Продукти
Виробники
Про DiGi
Зв'язатися з нами
Блоги та пости
Запит на ціну/Цитата
Ukraine
Увійти
Вибіркова мова
Поточна мова на ваш вибір:
Ukraine
Перемикання:
Англійська
Європа
Великобританія
ДР Конго
Аргентина
Туреччина
Румунія
Литва
Норвегія
Австрія
Ангола
Словакія
Ltaly
Фінляндія
Білорусь
Болгарія
Данія
Естонія
Польща
Україна
Словенія
Чеська
Грецька
Хорватія
Ізраїль
Чорногорія
Російська
Бельгія
Швеція
Сербія
Баскська
Ісландія
Боснії
Угорська
Молдова
Німеччина
Нідерланди
Ірландія
Азіатсько-Тихоокеанський регіон
Китай
Вʼєтнам
Індонезія
Таїланд
Лаос
Філіппінська
Малайзія
Корея
Японія
Гонконг
Тайвань
Сінґапур
Пакистан
Саудівська Аравія
Катар
Кувейт
Камбоджа
М'янма
Африка, Індія та Близький Схід
Об'єднані Арабські Емірати
Таджикистан
Мадагаскар
Індія
Іран
Франція
Південно-Африканська Республіка
Єгипет
Кенія
Танзанія
Гана
Сенегал
Марокко
Туніс
Південна Америка / Океанія
Нова Зеландія
Португалія
Бразилія
Мозамбік
Перу
Колумбія
Чилі
Венесуела
Еквадор
Болівія
Уруґвай
Іспанія
Парагвай
Австралія
Північна Америка
США
Гаїті
Канада
Коста-Ріка
Мексика
Про DiGi
Про нас
Про нас
Наші сертифікації
DiGi Вступ
Чому DiGi
Політика
Політика якості
Умови використання
Відповідність RoHS
Процес повернення
Ресурси
Категорії продуктів
Виробники
Блоги та пости
Послуги
Гарантія якості
Спосіб оплати
Глобальна доставка
Тарифи на доставку
Часті запитання
Номер продукту виробника:
RN1911FETE85LF
Product Overview
Виробник:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер частини:
RN1911FETE85LF-DG
Опис:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Докладний опис:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
Інвентаризація:
Запит на пропозицію онлайн
12891129
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
*
Компанія
*
Ім'я контакту
*
Телефон
*
Електронна пошта
Адреса доставки
Повідомлення
(
*
) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
RN1911FETE85LF Технічні специфікації
Категорія
Біполярний транзистор (BJT), Біполярні транзисторні масиви, попередньо біасовані
Виробник
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
-
Ряд
-
Статус товару
Active
Тип транзистора
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Струм - колектор (Ic) (макс.)
100mA
Напруга - пробій колекторного випромінювача (макс)
50V
Резистор - база (R1)
10kOhms
Резистор - база емітера (R2)
-
Коефіцієнт посилення постійного струму (hFE) (хв) @ IC, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce Насиченість (макс) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Струм - граничний струм колектора (макс.)
100nA (ICBO)
Частота - перехідний
250MHz
Потужність - Макс
100mW
Тип кріплення
Surface Mount
Упаковка / Чохол
SOT-563, SOT-666
Пакет пристроїв від постачальника
ES6
Базовий номер товару
RN1911
Технічний опис та документи
Таблиці даних
RN1910,11FE Datasheet
Додаткова інформація
Стандартний пакет
4,000
Інші назви
RN1911FE(TE85L,F)
RN1911FETE85LFCT
RN1911FETE85LFTR
RN1911FETE85LFDKR
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
RoHS Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.21.0095
Альтернативні моделі
Номер частини
EMH4T2R
ВИРОБНИК
Rohm Semiconductor
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
22408
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
EMH4T2R-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
0.08
Тип заміни
Similar
Номер частини
MUN5215DW1T1G
ВИРОБНИК
onsemi
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
8150
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
MUN5215DW1T1G-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
0.03
Тип заміни
Similar
Номер частини
EMH3T2R
ВИРОБНИК
Rohm Semiconductor
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
528
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
EMH3T2R-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
0.08
Тип заміни
Similar
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
RN4902,LF
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
RN1511(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
RN1901FETE85LF
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
RN1961(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6