Номер продукту виробника:
RN1711JE(TE85L,F)
Product Overview
Виробник:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер частини:
RN1711JE(TE85L,F)-DG
Опис:
TRANSISTOR NPN X2 BRT Q1BSR10KOH
Докладний опис:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ESV
Інвентаризація:
4000 Штук Новий Оригінал В наявності
12890305
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
RN1711JE(TE85L,F) Технічні специфікації
Категорія
Біполярний транзистор (BJT), Біполярні транзисторні масиви, попередньо біасовані
Виробник
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
-
Статус товару
Active
Тип транзистора
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Струм - колектор (Ic) (макс.)
100mA
Напруга - пробій колекторного випромінювача (макс)
50V
Резистор - база (R1)
10kOhms
Резистор - база емітера (R2)
-
Коефіцієнт посилення постійного струму (hFE) (хв) @ IC, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce Насиченість (макс) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Струм - граничний струм колектора (макс.)
100nA (ICBO)
Частота - перехідний
250MHz
Потужність - Макс
100mW
Тип кріплення
Surface Mount
Упаковка / Чохол
SOT-553
Пакет пристроїв від постачальника
ESV
Базовий номер товару
RN1711
Технічний опис та документи
Таблиці даних
Додаткова інформація
Стандартний пакет
4,000
Інші назви
RN1711JE(TE85LF)DKR
RN1711JE(TE85LF)TR
RN1711JE(TE85LF)CT
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.21.0075
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
RN2708JE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
RN2904FE,LF
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN1710,LF
NPNX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BERINF.
