Номер продукту виробника:
RN1607(TE85L,F)
Product Overview
Виробник:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер частини:
RN1607(TE85L,F)-DG
Опис:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Докладний опис:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SM6
Інвентаризація:
1271 Штук Новий Оригінал В наявності
12889494
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
RN1607(TE85L,F) Технічні специфікації
Категорія
Біполярний транзистор (BJT), Біполярні транзисторні масиви, попередньо біасовані
Виробник
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
-
Статус товару
Active
Тип транзистора
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Струм - колектор (Ic) (макс.)
100mA
Напруга - пробій колекторного випромінювача (макс)
50V
Резистор - база (R1)
10kOhms
Резистор - база емітера (R2)
47kOhms
Коефіцієнт посилення постійного струму (hFE) (хв) @ IC, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce Насиченість (макс) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Струм - граничний струм колектора (макс.)
100nA (ICBO)
Частота - перехідний
250MHz
Потужність - Макс
300mW
Тип кріплення
Surface Mount
Упаковка / Чохол
SC-74, SOT-457
Пакет пристроїв від постачальника
SM6
Базовий номер товару
RN1607
Технічний опис та документи
Таблиці даних
Додаткова інформація
Стандартний пакет
3,000
Інші назви
RN1607(TE85LF)DKR
RN1607(TE85LF)TR
RN1607(TE85LF)CT
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.21.0095
Альтернативні моделі
Номер частини
PIMH9,115
ВИРОБНИК
Nexperia USA Inc.
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
3000
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
PIMH9,115-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
0.04
Тип заміни
Similar
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
RN2602(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
RN1910FE,LF(CT
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
RN1970FE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
