Номер продукту виробника:
RN1601(TE85L,F)
Product Overview
Виробник:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер частини:
RN1601(TE85L,F)-DG
Опис:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Докладний опис:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SM6
Інвентаризація:
12891299
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
RN1601(TE85L,F) Технічні специфікації
Категорія
Біполярний транзистор (BJT), Біполярні транзисторні масиви, попередньо біасовані
Виробник
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
-
Статус товару
Active
Тип транзистора
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Струм - колектор (Ic) (макс.)
100mA
Напруга - пробій колекторного випромінювача (макс)
50V
Резистор - база (R1)
4.7kOhms
Резистор - база емітера (R2)
4.7kOhms
Коефіцієнт посилення постійного струму (hFE) (хв) @ IC, Vce
30 @ 10mA, 5V
Vce Насиченість (макс) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Струм - граничний струм колектора (макс.)
100nA (ICBO)
Частота - перехідний
250MHz
Потужність - Макс
300mW
Тип кріплення
Surface Mount
Упаковка / Чохол
SC-74, SOT-457
Пакет пристроїв від постачальника
SM6
Базовий номер товару
RN1601
Технічний опис та документи
Таблиці даних
Додаткова інформація
Стандартний пакет
3,000
Інші назви
RN1601(TE85LF)CT
RN1601(TE85LF)TR
RN1601(TE85LF)DKR
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
RoHS Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.21.0095
Альтернативні моделі
Номер частини
PUMH15,115
ВИРОБНИК
Nexperia USA Inc.
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
1593
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
PUMH15,115-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
0.02
Тип заміни
Similar
Номер частини
IMH11AT110
ВИРОБНИК
Rohm Semiconductor
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
9969
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
IMH11AT110-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
0.06
Тип заміни
Similar
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
RN2909,LF(CT
PNPX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER22KOH
RN1610(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
RN1709,LF
NPNX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER22KOH
