Номер продукту виробника:
RN1318(TE85L,F)
Product Overview
Виробник:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер частини:
RN1318(TE85L,F)-DG
Опис:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Докладний опис:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SC-70
Інвентаризація:
460 Штук Новий Оригінал В наявності
12890635
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
VKy1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
RN1318(TE85L,F) Технічні специфікації
Категорія
Біполярний транзистор (BJT), Одинарні, попередньо біасовані біполярні транзистори
Виробник
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
-
Статус товару
Active
Тип транзистора
NPN - Pre-Biased
Струм - колектор (Ic) (макс.)
100 mA
Напруга - пробій колекторного випромінювача (макс)
50 V
Резистор - база (R1)
47 kOhms
Резистор - база емітера (R2)
10 kOhms
Коефіцієнт посилення постійного струму (hFE) (хв) @ IC, Vce
50 @ 10mA, 5V
Vce Насиченість (макс) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Струм - граничний струм колектора (макс.)
500nA
Частота - перехідний
250 MHz
Потужність - Макс
100 mW
Тип кріплення
Surface Mount
Упаковка / Чохол
SC-70, SOT-323
Пакет пристроїв від постачальника
SC-70
Базовий номер товару
RN1318
Технічний опис та документи
Таблиці даних
Додаткова інформація
Стандартний пакет
3,000
Інші назви
RN1318(TE85LF)DKR
RN1318TE85LF
RN1318(TE85LF)TR
RN1318(TE85LF)
RN1318(TE85LF)CT
RN1318(TE85LF)-DG
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.21.0075
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
RN1107ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
RN2312(TE85L,F)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
RN1103ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
