Номер продукту виробника:
RN1114(T5L,F,T)
Product Overview
Виробник:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер частини:
RN1114(T5L,F,T)-DG
Опис:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Докладний опис:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SSM
Інвентаризація:
12889196
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
h8Y5
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
RN1114(T5L,F,T) Технічні специфікації
Категорія
Біполярний транзистор (BJT), Одинарні, попередньо біасовані біполярні транзистори
Виробник
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
-
Ряд
-
Статус товару
Active
Тип транзистора
NPN - Pre-Biased
Струм - колектор (Ic) (макс.)
100 mA
Напруга - пробій колекторного випромінювача (макс)
50 V
Резистор - база (R1)
1 kOhms
Резистор - база емітера (R2)
10 kOhms
Коефіцієнт посилення постійного струму (hFE) (хв) @ IC, Vce
50 @ 10mA, 5V
Vce Насиченість (макс) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Струм - граничний струм колектора (макс.)
500nA
Частота - перехідний
250 MHz
Потужність - Макс
100 mW
Тип кріплення
Surface Mount
Упаковка / Чохол
SC-75, SOT-416
Пакет пристроїв від постачальника
SSM
Базовий номер товару
RN1114
Технічний опис та документи
Таблиці даних
Додаткова інформація
Стандартний пакет
3,000
Інші назви
RN1114T5LFT
RN1114(T5LFT)TR
RN1114(T5LFT)CT
RN1114(T5LFT)DKR
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
RoHS Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.21.0075
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
RN1416,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
RN1102MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
DDTC123JE-7-F
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523
