Номер продукту виробника:
HN4B102J(TE85L,F)
Product Overview
Виробник:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер частини:
HN4B102J(TE85L,F)-DG
Опис:
PB-F POWER TRANSISTOR SMV MOQ=30
Докладний опис:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 30V 1.8A, 2A 750mW Surface Mount SMV
Інвентаризація:
2900 Штук Новий Оригінал В наявності
12988801
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
HN4B102J(TE85L,F) Технічні специфікації
Категорія
Біполярний транзистор (BJT), Біполярні транзисторні масиви
Виробник
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
-
Статус товару
Active
Тип транзистора
NPN, PNP
Струм - колектор (Ic) (макс.)
1.8A, 2A
Напруга - пробій колекторного випромінювача (макс)
30V
Vce Насиченість (макс) @ Ib, Ic
140mV @ 20mA, 600mA / 200mV @ 20mA, 600mA
Струм - граничний струм колектора (макс.)
100nA (ICBO)
Коефіцієнт посилення постійного струму (hFE) (хв) @ IC, Vce
200 @ 200mA, 2V
Потужність - Макс
750mW
Частота - перехідний
-
Робоча температура
150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Упаковка / Чохол
SC-74A, SOT-753
Пакет пристроїв від постачальника
SMV
Базовий номер товару
HN4B102
Технічний опис та документи
Таблиці даних
Додаткова інформація
Стандартний пакет
3,000
Інші назви
264-HN4B102J(TE85LF)TR
264-HN4B102J(TE85LF)TR-DG
264-HN4B102J(TE85L,F)DKR
264-HN4B102J(TE85L,F)TR-DG
264-HN4B102J(TE85L,F)TR
264-HN4B102J(TE85L,F)CT
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.21.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
ULN2803CDWR
50-V, EIGHT-CHANNEL DARLINGTON A
SBC846BDW1T1G-M01
SBC846BDW1T1G-M01
CMLT3474 TR
TRANS NPN/PNP 25V 1A SOT563
