Номер продукту виробника:
HN1C03FU-A(TE85L,F
Product Overview
Виробник:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер частини:
HN1C03FU-A(TE85L,F-DG
Опис:
TRANS 2NPN 20V 0.3A US6
Докладний опис:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 20V 300mA 30MHz 200mW Surface Mount US6
Інвентаризація:
12889810
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
uLJT
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
HN1C03FU-A(TE85L,F Технічні специфікації
Категорія
Біполярний транзистор (BJT), Біполярні транзисторні масиви
Виробник
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
-
Статус товару
Active
Тип транзистора
2 NPN (Dual)
Струм - колектор (Ic) (макс.)
300mA
Напруга - пробій колекторного випромінювача (макс)
20V
Vce Насиченість (макс) @ Ib, Ic
100mV @ 3mA, 30mA
Струм - граничний струм колектора (макс.)
100nA (ICBO)
Коефіцієнт посилення постійного струму (hFE) (хв) @ IC, Vce
200 @ 4mA, 2V
Потужність - Макс
200mW
Частота - перехідний
30MHz
Робоча температура
150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Упаковка / Чохол
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Пакет пристроїв від постачальника
US6
Базовий номер товару
HN1C03
Технічний опис та документи
Таблиці даних
Додаткова інформація
Стандартний пакет
3,000
Інші назви
HN1C03FU-A(TE85LFDKR
HN1C03FU-A(TE85LFCT
HN1C03FU-A(TE85LFTR
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
RoHS Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.21.0095
Альтернативні моделі
Номер частини
QSX8TR
ВИРОБНИК
Rohm Semiconductor
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
300
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
QSX8TR-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
0.17
Тип заміни
Similar
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
BC846ASQ-7-F
GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT36
2SA1618-Y(TE85L,F)
TRANS 2PNP 50V 0.15A SMV
ULN2803ANG4
TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
