HN1B04FU-GR,LXHF
Номер продукту виробника:

HN1B04FU-GR,LXHF

Product Overview

Виробник:

Toshiba Semiconductor and Storage

Номер частини:

HN1B04FU-GR,LXHF-DG

Опис:

AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Докладний опис:
Bipolar (BJT) Transistor Array 50V 150mA 150MHz, 120MHz 200mW Surface Mount US6

Інвентаризація:

5998 Штук Новий Оригінал В наявності
12995794
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ

HN1B04FU-GR,LXHF Технічні специфікації

Категорія
Біполярний транзистор (BJT), Біполярні транзисторні масиви
Виробник
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
-
Статус товару
Active
Тип транзистора
-
Струм - колектор (Ic) (макс.)
150mA
Напруга - пробій колекторного випромінювача (макс)
50V
Vce Насиченість (макс) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Струм - граничний струм колектора (макс.)
100nA (ICBO)
Коефіцієнт посилення постійного струму (hFE) (хв) @ IC, Vce
200 @ 2mA, 6V
Потужність - Макс
200mW
Частота - перехідний
150MHz, 120MHz
Робоча температура
-
Клас
Automotive
Кваліфікації
AEC-Q101
Тип кріплення
Surface Mount
Упаковка / Чохол
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Пакет пристроїв від постачальника
US6
Базовий номер товару
HN1B04

Технічний опис та документи

Таблиці даних

Додаткова інформація

Стандартний пакет
3,000
Інші назви
264-HN1B04FU-GRLXHFDKR
264-HN1B04FU-GR,LXHFTR
264-HN1B04FU-GR,LXHFDKR
264-HN1B04FU-GR,LXHFTR-DG
264-HN1B04FU-GRLXHFCT
264-HN1B04FU-GR,LXHFDKR-DG
264-HN1B04FU-GRLXHFTR
264-HN1B04FU-GR,LXHFCT
264-HN1B04FU-GR,LXHFCT-DG

Екологічна та експортна класифікація

Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.21.0075
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
toshiba-semiconductor-and-storage

HN1C01FU-Y,LXHF

AUTO AEC-Q NPN + NPN TR VCEO:50V

toshiba-semiconductor-and-storage

HN1A01FU-Y,LXHF

AUTO AEC-Q PNP + PNP TR VCEO:-50

texas-instruments

SN75468N-A

PROTOTYPE

texas-instruments

SN75468NS

PROTOTYPE