2SK2967(F)
Номер продукту виробника:

2SK2967(F)

Product Overview

Виробник:

Toshiba Semiconductor and Storage

Номер частини:

2SK2967(F)-DG

Опис:

MOSFET N-CH 250V 30A TO3P
Докладний опис:
N-Channel 250 V 30A (Ta) 150W (Tc) Through Hole TO-3P(N)

Інвентаризація:

12891215
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
num_del num_add
*
*
*
*
g00n
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ

2SK2967(F) Технічні специфікації

Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
-
Ряд
-
Статус товару
Obsolete
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
250 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
30A (Ta)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
68mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
3.5V @ 1mA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
132 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
5400 pF @ 10 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
150W (Tc)
Робоча температура
150°C (TJ)
Тип кріплення
Through Hole
Пакет пристроїв від постачальника
TO-3P(N)
Упаковка / Чохол
TO-3P-3, SC-65-3
Базовий номер товару
2SK2967

Додаткова інформація

Стандартний пакет
50

Екологічна та експортна класифікація

Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095

Альтернативні моделі

Номер частини
FDA33N25
ВИРОБНИК
onsemi
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
619
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
FDA33N25-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
1.54
Тип заміни
Similar
Номер частини
FQA40N25
ВИРОБНИК
onsemi
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
297
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
FQA40N25-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
1.66
Тип заміни
Similar
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
toshiba-semiconductor-and-storage

TK160F10N1L,LQ

MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM

toshiba-semiconductor-and-storage

TK2P60D(TE16L1,NV)

MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3K16CTC,L3F

MOSFET N-CH 20V 200MA CST3C

toshiba-semiconductor-and-storage

TK7P60W,RVQ

MOSFET N CH 600V 7A DPAK