STU6N60DM2
Номер продукту виробника:

STU6N60DM2

Product Overview

Виробник:

STMicroelectronics

Номер частини:

STU6N60DM2-DG

Опис:

MOSFET N-CH 600V 5A IPAK
Докладний опис:
N-Channel 600 V 5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole I-PAK

Інвентаризація:

12875925
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ

STU6N60DM2 Технічні специфікації

Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
STMicroelectronics
Упаковка
Tube
Ряд
MDmesh™ DM2
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
600 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
5A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
1.1Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
4.75V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
6.2 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
274 pF @ 100 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
60W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Through Hole
Пакет пристроїв від постачальника
I-PAK
Упаковка / Чохол
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Базовий номер товару
STU6N60

Технічний опис та документи

Таблиці даних

Додаткова інформація

Стандартний пакет
3,000

Екологічна та експортна класифікація

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
stmicroelectronics

STL15N60M2-EP

MOSFET N-CH 600V 7A POWERFLAT HV

stmicroelectronics

STP14NK60Z

MOSFET N-CH 600V 13.5A TO220AB

stmicroelectronics

STI76NF75

MOSFET N-CH 75V 80A I2PAK

stmicroelectronics

STD7NK30Z

MOSFET N-CH 300V 5A DPAK