Номер продукту виробника:
STP18N60M2
Product Overview
Виробник:
STMicroelectronics
Номер частини:
STP18N60M2-DG
Опис:
MOSFET N-CH 600V 13A TO220
Докладний опис:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220
Інвентаризація:
470 Штук Новий Оригінал В наявності
12874224
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
CkLG
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
STP18N60M2 Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
STMicroelectronics
Упаковка
Tube
Ряд
MDmesh™ II Plus
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
600 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
13A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
280mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
21.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
791 pF @ 100 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
110W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Through Hole
Пакет пристроїв від постачальника
TO-220
Упаковка / Чохол
TO-220-3
Базовий номер товару
STP18
Технічний опис та документи
Таблиці даних
Додаткова інформація
Стандартний пакет
50
Інші назви
5060-STP18N60M2
STP18N60M2-DG
497-13971-5
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
STP18N65M5
MOSFET N-CH 650V 15A TO220
STS6P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 6A 8SO
STD70N10F4
MOSFET N-CH 100V 60A DPAK