Номер продукту виробника:
2SC2271E-AE
Product Overview
Виробник:
Sanyo
Номер частини:
2SC2271E-AE-DG
Опис:
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
Докладний опис:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 100 mA 50MHz 900 mW Through Hole 3-MP
Інвентаризація:
6824 Штук Новий Оригінал В наявності
12941616
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
2SC2271E-AE Технічні специфікації
Категорія
Біполярний транзистор (BJT), Єдині біполярні транзистори
Виробник
Упаковка
Bulk
Ряд
-
Статус товару
Active
Тип транзистора
NPN
Струм - колектор (Ic) (макс.)
100 mA
Напруга - пробій колекторного випромінювача (макс)
300 V
Vce Насиченість (макс) @ Ib, Ic
600mV @ 2mA, 20mA
Струм - граничний струм колектора (макс.)
1µA (ICBO)
Коефіцієнт посилення постійного струму (hFE) (хв) @ IC, Vce
100 @ 10mA, 10V
Потужність - Макс
900 mW
Частота - перехідний
50MHz
Робоча температура
150°C (TJ)
Тип кріплення
Through Hole
Упаковка / Чохол
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Пакет пристроїв від постачальника
3-MP
Технічний опис та документи
Таблиці даних
Додаткова інформація
Стандартний пакет
5,323
Інші назви
ONSSNY2SC2271E-AE
2156-2SC2271E-AE
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
Not applicable
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.21.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
CA3127ER4102
HIGH FREQUENCY NPN TRANSISTOR AR
2SC3708T-AA
0.5A, 80V, NPN
2SC3599E
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
