Головна
Продукти
Виробники
Про DiGi
Зв'язатися з нами
Блоги та пости
Запит на ціну/Цитата
Ukraine
Увійти
Вибіркова мова
Поточна мова на ваш вибір:
Ukraine
Перемикання:
Англійська
Європа
Великобританія
ДР Конго
Аргентина
Туреччина
Румунія
Литва
Норвегія
Австрія
Ангола
Словакія
Ltaly
Фінляндія
Білорусь
Болгарія
Данія
Естонія
Польща
Україна
Словенія
Чеська
Грецька
Хорватія
Ізраїль
Чорногорія
Російська
Бельгія
Швеція
Сербія
Баскська
Ісландія
Боснії
Угорська
Молдова
Німеччина
Нідерланди
Ірландія
Азіатсько-Тихоокеанський регіон
Китай
Вʼєтнам
Індонезія
Таїланд
Лаос
Філіппінська
Малайзія
Корея
Японія
Гонконг
Тайвань
Сінґапур
Пакистан
Саудівська Аравія
Катар
Кувейт
Камбоджа
М'янма
Африка, Індія та Близький Схід
Об'єднані Арабські Емірати
Таджикистан
Мадагаскар
Індія
Іран
Франція
Південно-Африканська Республіка
Єгипет
Кенія
Танзанія
Гана
Сенегал
Марокко
Туніс
Південна Америка / Океанія
Нова Зеландія
Португалія
Бразилія
Мозамбік
Перу
Колумбія
Чилі
Венесуела
Еквадор
Болівія
Уруґвай
Іспанія
Парагвай
Австралія
Північна Америка
США
Гаїті
Канада
Коста-Ріка
Мексика
Про DiGi
Про нас
Про нас
Наші сертифікації
DiGi Вступ
Чому DiGi
Політика
Політика якості
Умови використання
Відповідність RoHS
Процес повернення
Ресурси
Категорії продуктів
Виробники
Блоги та пости
Послуги
Гарантія якості
Спосіб оплати
Глобальна доставка
Тарифи на доставку
Часті запитання
Номер продукту виробника:
RV2C014BCT2CL
Product Overview
Виробник:
Rohm Semiconductor
Номер частини:
RV2C014BCT2CL-DG
Опис:
MOSFET P-CH 20V 700MA DFN1006-3
Докладний опис:
P-Channel 20 V 700mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount DFN1006-3
Інвентаризація:
10299 Штук Новий Оригінал В наявності
13527011
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
*
Компанія
*
Ім'я контакту
*
Телефон
*
Електронна пошта
Адреса доставки
Повідомлення
(
*
) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
RV2C014BCT2CL Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
-
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
P-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
20 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
700mA (Ta)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
1.8V, 4.5V
Rds On (Макс) @ id, vgs
300mOhm @ 1.4A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id
1V @ 100µA
Vgs (макс.)
±8V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
100 pF @ 10 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
400mW (Ta)
Робоча температура
150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
DFN1006-3
Упаковка / Чохол
3-XFDFN
Базовий номер товару
RV2C014
Технічний опис та документи
Таблиці даних
RV2C014BCT2CL
Додаткова інформація
Стандартний пакет
8,000
Інші назви
RV2C014BCT2CLTR
RV2C014BCT2CLDKR
RV2C014BCT2CLCT
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.21.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
RT1A045APTCR
MOSFET P-CH 12V 4.5A 8TSST
SCT3160KLGC11
SICFET N-CH 1200V 17A TO247N
RT1E050RPTR
MOSFET P-CH 30V 5A 8TSST
RQ6E040XNTCR
MOSFET N-CH 30V 4A TSMT6