Номер продукту виробника:
RP1E090RPTR
Product Overview
Виробник:
Rohm Semiconductor
Номер частини:
RP1E090RPTR-DG
Опис:
MOSFET P-CH 30V 9A MPT6
Докладний опис:
P-Channel 30 V 9A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount MPT6
Інвентаризація:
13524359
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
J6Wa
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
RP1E090RPTR Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
ROHM Semiconductor
Упаковка
-
Ряд
-
Статус товару
Obsolete
Тип польового транзистора
P-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
30 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
9A (Ta)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
4V, 10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
16.9mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
2.5V @ 1mA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
30 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
3000 pF @ 10 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
2W (Ta)
Робоча температура
150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
MPT6
Упаковка / Чохол
6-SMD, Flat Leads
Базовий номер товару
RP1E090
Технічний опис та документи
Таблиці даних
Додаткова інформація
Стандартний пакет
1,000
Інші назви
RP1E090RPDKR
RP1E090RPCT
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Альтернативні моделі
Номер частини
RRH090P03TB1
ВИРОБНИК
Rohm Semiconductor
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
2400
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
RRH090P03TB1-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
0.55
Тип заміни
Similar
Номер частини
SI4431CDY-T1-GE3
ВИРОБНИК
Vishay Siliconix
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
65416
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
SI4431CDY-T1-GE3-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
0.22
Тип заміни
Similar
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
RU1C002ZPTCL
MOSFET P-CH 20V 200MA UMT3F
R5009FNX
MOSFET N-CH 500V 9A TO220FM
RT1A060APTR
MOSFET P-CH 12V 6A 8TSST
