Номер продукту виробника:
R6030KNXC7
Product Overview
Виробник:
Rohm Semiconductor
Номер частини:
R6030KNXC7-DG
Опис:
MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
Докладний опис:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 86W (Tc) Through Hole TO-220FM
Інвентаризація:
1500 Штук Новий Оригінал В наявності
13527403
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
5qTa
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
R6030KNXC7 Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tube
Ряд
-
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
600 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
30A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
130mOhm @ 14.5A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
5V @ 1mA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
2350 pF @ 25 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
86W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Through Hole
Пакет пристроїв від постачальника
TO-220FM
Упаковка / Чохол
TO-220-3 Full Pack
Базовий номер товару
R6030
Технічний опис та документи
Таблиці даних
Додаткова інформація
Стандартний пакет
1,000
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
RAL035P01TCR
MOSFET P-CH 12V 3.5A TUMT6
RSS065N03FU6TB
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOP
RDX060N60FU6
MOSFET N-CH 600V 6A TO220FM