R6020JNZ4C13
Номер продукту виробника:

R6020JNZ4C13

Product Overview

Виробник:

Rohm Semiconductor

Номер частини:

R6020JNZ4C13-DG

Опис:

MOSFET N-CH 600V 20A TO247G
Докладний опис:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 252W (Tc) Through Hole TO-247G

Інвентаризація:

355 Штук Новий Оригінал В наявності
13527340
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
num_del num_add
*
*
*
*
j91z
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ

R6020JNZ4C13 Технічні специфікації

Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tube
Ряд
-
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
600 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
20A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
15V
Rds On (Макс) @ id, vgs
234mOhm @ 10A, 15V
vgs(th) (макс.) @ id
7V @ 3.5mA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
45 nC @ 15 V
Vgs (макс.)
±30V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
1500 pF @ 100 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
252W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Through Hole
Пакет пристроїв від постачальника
TO-247G
Упаковка / Чохол
TO-247-3
Базовий номер товару
R6020

Технічний опис та документи

Таблиці даних

Додаткова інформація

Стандартний пакет
30

Екологічна та експортна класифікація

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
rohm-semi

QS5U23TR

MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5

rohm-semi

RZR025P01TL

MOSFET P-CH 12V 2.5A TSMT3

rohm-semi

RCD060N25TL

MOSFET N-CH 250V 6A CPT3

rohm-semi

R5021ANJTL

MOSFET N-CH 500V 21A LPTS