Номер продукту виробника:
QS6J1TR
Product Overview
Виробник:
Rohm Semiconductor
Номер частини:
QS6J1TR-DG
Опис:
MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6
Докладний опис:
Mosfet Array 20V 1.5A 1.25W Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Інвентаризація:
8830 Штук Новий Оригінал В наявності
13526752
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
ApTA
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
QS6J1TR Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Польові транзистори (FET), масиви MOSFET
Виробник
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
-
Статус товару
Active
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Конфігурації
2 P-Channel (Dual)
Функція польового транзистора
Logic Level Gate
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
20V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
1.5A
Rds On (Макс) @ id, vgs
215mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id
2V @ 1mA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
3nC @ 4.5V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
270pF @ 10V
Потужність - Макс
1.25W
Робоча температура
150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Упаковка / Чохол
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Пакет пристроїв від постачальника
TSMT6 (SC-95)
Базовий номер товару
QS6J1
Технічний опис та документи
Таблиці даних
Додаткова інформація
Стандартний пакет
3,000
Інші назви
QS6J1DKR
846-QS6J1CT
QS6J1TR-ND
QS6J1DKR-ND
846-QS6J1DKR
846-QS6J1TR
QS6J1CT
QS6J1CT-ND
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
SP8M3FU6TB
MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP
SP8M2FU6TB
MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOP
MP6M12TCR
MOSFET N/P-CH 30V 5A MPT6
