Номер продукту виробника:
IMD2AT108
Product Overview
Виробник:
Rohm Semiconductor
Номер частини:
IMD2AT108-DG
Опис:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Докладний опис:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
Інвентаризація:
848 Штук Новий Оригінал В наявності
13526000
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
apKr
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
IMD2AT108 Технічні специфікації
Категорія
Біполярний транзистор (BJT), Біполярні транзисторні масиви, попередньо біасовані
Виробник
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
-
Статус товару
Active
Тип транзистора
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Струм - колектор (Ic) (макс.)
100mA
Напруга - пробій колекторного випромінювача (макс)
50V
Резистор - база (R1)
22kOhms
Резистор - база емітера (R2)
22kOhms
Коефіцієнт посилення постійного струму (hFE) (хв) @ IC, Vce
56 @ 5mA, 5V
Vce Насиченість (макс) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Струм - граничний струм колектора (макс.)
500nA
Частота - перехідний
250MHz
Потужність - Макс
300mW
Тип кріплення
Surface Mount
Упаковка / Чохол
SC-74, SOT-457
Пакет пристроїв від постачальника
SMT6
Базовий номер товару
IMD2
Технічний опис та документи
Ресурси для дизайну
Документи про надійність
Таблиці даних
Додаткова інформація
Стандартний пакет
3,000
Інші назви
IMD2AT108DKR
IMD2AT108TR
IMD2AT108-ND
IMD2AT108CT
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.21.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
