Номер продукту виробника:
EMA3T2R
Product Overview
Виробник:
Rohm Semiconductor
Номер частини:
EMA3T2R-DG
Опис:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W
Докладний опис:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5
Інвентаризація:
13523929
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
EMA3T2R Технічні специфікації
Категорія
Біполярний транзистор (BJT), Біполярні транзисторні масиви, попередньо біасовані
Виробник
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
-
Статус товару
Active
Тип транзистора
2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Струм - колектор (Ic) (макс.)
100mA
Напруга - пробій колекторного випромінювача (макс)
50V
Резистор - база (R1)
4.7kOhms
Резистор - база емітера (R2)
-
Коефіцієнт посилення постійного струму (hFE) (хв) @ IC, Vce
100 @ 1mA, 5V
Vce Насиченість (макс) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Струм - граничний струм колектора (макс.)
500nA (ICBO)
Частота - перехідний
250MHz
Потужність - Макс
150mW
Тип кріплення
Surface Mount
Упаковка / Чохол
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Пакет пристроїв від постачальника
EMT5
Базовий номер товару
EMA3T2
Технічний опис та документи
Ресурси для дизайну
Документи про надійність
Таблиці даних
Додаткова інформація
Стандартний пакет
8,000
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.21.0095
Альтернативні моделі
Номер частини
RN2710JE(TE85L,F)
ВИРОБНИК
Toshiba Semiconductor and Storage
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
3611
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
RN2710JE(TE85L,F)-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
0.05
Тип заміни
Direct
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
EMD4T2R
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
EMG8T2R
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
EMB11FHAT2R
TRANS 2PNP 100MA EMT6
