Номер продукту виробника:
PJD85N03_L2_00001
Product Overview
Виробник:
Panjit International Inc.
Номер частини:
PJD85N03_L2_00001-DG
Опис:
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Докладний опис:
N-Channel 30 V 16A (Ta), 85A (Tc) 2W (Ta), 58W (Tc) Surface Mount TO-252
Інвентаризація:
12973252
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
kyy4
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
PJD85N03_L2_00001 Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
PANJIT
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
-
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
30 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
16A (Ta), 85A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
4.5V, 10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
3.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
2.5V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
23 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
2436 pF @ 25 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
2W (Ta), 58W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
TO-252
Упаковка / Чохол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовий номер товару
PJD85
Технічний опис та документи
Таблиці даних
Додаткова інформація
Стандартний пакет
3,000
Інші назви
3757-PJD85N03_L2_00001TR
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
MMDF4N01HDR2
TRANS MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-PIN
NVMFS5C426NWFET1G
T6-40V N 1.3 MOHMS SL
TSM60NC1R5CP ROG
600V, 3A, SINGLE N-CHANNEL POWER
