Головна
Продукти
Виробники
Про DiGi
Зв'язатися з нами
Блоги та пости
Запит на ціну/Цитата
Ukraine
Увійти
Вибіркова мова
Поточна мова на ваш вибір:
Ukraine
Перемикання:
Англійська
Європа
Великобританія
Франція
Іспанія
Туреччина
Молдова
Литва
Норвегія
Німеччина
Португалія
Словакія
Ltaly
Фінляндія
Російська
Болгарія
Данія
Естонія
Польща
Україна
Словенія
Чеська
Грецька
Хорватія
Ізраїль
Сербія
Білорусь
Нідерланди
Швеція
Чорногорія
Баскська
Ісландія
Боснії
Угорська
Румунія
Австрія
Бельгія
Ірландія
Азіатсько-Тихоокеанський регіон
Китай
Вʼєтнам
Індонезія
Таїланд
Лаос
Філіппінська
Малайзія
Корея
Японія
Гонконг
Тайвань
Сінґапур
Пакистан
Саудівська Аравія
Катар
Кувейт
Камбоджа
М'янма
Африка, Індія та Близький Схід
Об'єднані Арабські Емірати
Таджикистан
Мадагаскар
Індія
Іран
ДР Конго
Південно-Африканська Республіка
Єгипет
Кенія
Танзанія
Гана
Сенегал
Марокко
Туніс
Південна Америка / Океанія
Нова Зеландія
Ангола
Бразилія
Мозамбік
Перу
Колумбія
Чилі
Венесуела
Еквадор
Болівія
Уруґвай
Аргентина
Парагвай
Австралія
Північна Америка
США
Гаїті
Канада
Коста-Ріка
Мексика
Про DiGi
Про нас
Про нас
Наші сертифікації
DiGi Вступ
Чому DiGi
Політика
Політика якості
Умови використання
Відповідність RoHS
Процес повернення
Ресурси
Категорії продуктів
Виробники
Блоги та пости
Послуги
Гарантія якості
Спосіб оплати
Глобальна доставка
Тарифи на доставку
Часті запитання
Номер продукту виробника:
RFD16N05
Product Overview
Виробник:
onsemi
Номер частини:
RFD16N05-DG
Опис:
MOSFET N-CH 50V 16A I-PAK
Докладний опис:
N-Channel 50 V 16A (Tc) 72W (Tc) Through Hole I-PAK
Інвентаризація:
Запит на пропозицію онлайн
12840400
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
*
Компанія
*
Ім'я контакту
*
Телефон
*
Електронна пошта
Адреса доставки
Повідомлення
(
*
) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
RFD16N05 Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
-
Ряд
-
Статус товару
Obsolete
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
50 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
16A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
47mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
80 nC @ 20 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
900 pF @ 25 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
72W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип кріплення
Through Hole
Пакет пристроїв від постачальника
I-PAK
Упаковка / Чохол
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Базовий номер товару
RFD16
Технічний опис та документи
Технічні специфікації
RFD16N05
HTML Технічний лист
RFD16N05-DG
Додаткова інформація
Стандартний пакет
75
Інші назви
RFD16N05-NDR
Екологічна та експортна класифікація
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
NTTFS5C453NLTAG
MOSFET N-CH 40V 23A/107A 8WDFN
BSC057N08NS3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 16A/100A TDSON
NTR5198NLT1G
MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3
NDD04N60ZT4G
MOSFET N-CH 600V 4.1A DPAK