Номер продукту виробника:
NTP360N80S3Z
Product Overview
Виробник:
onsemi
Номер частини:
NTP360N80S3Z-DG
Опис:
MOSFET N-CH 800V 13A TO220-3
Докладний опис:
N-Channel 800 V 13A (Tc) 96W (Tc) Through Hole TO-220-3
Інвентаризація:
12938863
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
NTP360N80S3Z Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
Tube
Ряд
SuperFET® III
Статус товару
Not For New Designs
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
800 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
13A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
360mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
3.8V @ 300µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
25.3 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
1143 pF @ 400 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
96W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Through Hole
Пакет пристроїв від постачальника
TO-220-3
Упаковка / Чохол
TO-220-3
Базовий номер товару
NTP360
Технічний опис та документи
Додаткова інформація
Стандартний пакет
50
Інші назви
2156-NTP360N80S3Z
488-NTP360N80S3Z
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
NVH4L020N120SC1
SICFET N-CH 1200V 102A TO247
NTF2955PT1G
MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223
NVMFS5C466NLWFT1G
MOSFET N-CH 40V 16A/52A 5DFN
