Номер продукту виробника:
NTP082N65S3F
Product Overview
Виробник:
onsemi
Номер частини:
NTP082N65S3F-DG
Опис:
MOSFET N-CH 650V 40A TO220-3
Докладний опис:
N-Channel 650 V 40A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-220-3
Інвентаризація:
12860107
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
NTP082N65S3F Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
Tube
Ряд
FRFET®, SuperFET® II
Статус товару
Not For New Designs
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
650 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
40A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
82mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
5V @ 4mA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
3410 pF @ 400 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
313W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Through Hole
Пакет пристроїв від постачальника
TO-220-3
Упаковка / Чохол
TO-220-3
Базовий номер товару
NTP082
Технічний опис та документи
Додаткова інформація
Стандартний пакет
50
Інші назви
NTP082N65S3FOS
NTP082N65S3F-DG
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Альтернативні моделі
Номер частини
IXTP34N65X2
ВИРОБНИК
IXYS
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
152
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
IXTP34N65X2-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
3.26
Тип заміни
Similar
Номер частини
NVHL082N65S3F
ВИРОБНИК
onsemi
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
0
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
NVHL082N65S3F-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
4.59
Тип заміни
Parametric Equivalent
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
NP100P04PLG-E1-AY
MOSFET P-CH 40V 100A TO263
NP60N055VUK-E1-AY
MOSFET N-CH 55V 60A TO252-3
RJK0391DPA-00#J5A
MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK
