Номер продукту виробника:
NTMYS2D9N04CLTWG
Product Overview
Виробник:
onsemi
Номер частини:
NTMYS2D9N04CLTWG-DG
Опис:
MOSFET N-CH 40V 27A/110A 4LFPAK
Докладний опис:
N-Channel 40 V 27A (Ta), 110A (Tc) 3.7W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)
Інвентаризація:
12839123
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
58x0
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
NTMYS2D9N04CLTWG Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
-
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
40 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
27A (Ta), 110A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
4.5V, 10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
2.8mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
2V @ 11µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
2100 pF @ 20 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
3.7W (Ta), 68W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
LFPAK4 (5x6)
Упаковка / Чохол
SOT-1023, 4-LFPAK
Базовий номер товару
NTMYS2
Технічний опис та документи
Технічні специфікації
HTML Технічний лист
Таблиці даних
Додаткова інформація
Стандартний пакет
3,000
Інші назви
488-NTMYS2D9N04CLTWGCT
488-NTMYS2D9N04CLTWGDKR
2832-NTMYS2D9N04CLTWGTR
NTMYS2D9N04CLTWG-DG
488-NTMYS2D9N04CLTWGTR
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
FDMS5672
MOSFET N-CH 60V 10.6A/22A 8MLP
FDMC86520L
MOSFET N-CH 60V 13.5A/22A 8MLP
FDB14AN06LA0-F085
MOSFET N-CH 60V 67A TO263AB
