Номер продукту виробника:
NTD4909N-35G
Product Overview
Виробник:
onsemi
Номер частини:
NTD4909N-35G-DG
Опис:
MOSFET N-CH 30V 8.8A/41A IPAK
Докладний опис:
N-Channel 30 V 8.8A (Ta), 41A (Tc) 1.37W (Ta), 29.4W (Tc) Through Hole IPAK
Інвентаризація:
12840497
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
NTD4909N-35G Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
-
Ряд
-
Статус товару
Obsolete
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
30 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
8.8A (Ta), 41A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
4.5V, 10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
8mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
2.2V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
17.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
1314 pF @ 15 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
1.37W (Ta), 29.4W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип кріплення
Through Hole
Пакет пристроїв від постачальника
IPAK
Упаковка / Чохол
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Базовий номер товару
NTD49
Технічний опис та документи
Додаткова інформація
Стандартний пакет
75
Інші назви
ONSONSNTD4909N-35G
2156-NTD4909N-35G-ON
Екологічна та експортна класифікація
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
MCH3481-TL-W
MOSFET N-CH 20V 2A SC70FL/MCPH3
NTD4979NT4G
MOSFET N-CH 30V 9.4A/41A DPAK
FQA36P15_F109
MOSFET P-CH 150V 36A TO3PN