Номер продукту виробника:
NSBC115EDXV6T1G
Product Overview
Виробник:
onsemi
Номер частини:
NSBC115EDXV6T1G-DG
Опис:
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Докладний опис:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
Інвентаризація:
4000 Штук Новий Оригінал В наявності
12839944
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
HjOF
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
NSBC115EDXV6T1G Технічні специфікації
Категорія
Біполярний транзистор (BJT), Біполярні транзисторні масиви, попередньо біасовані
Виробник
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
-
Статус товару
Active
Тип транзистора
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Струм - колектор (Ic) (макс.)
100mA
Напруга - пробій колекторного випромінювача (макс)
50V
Резистор - база (R1)
100kOhms
Резистор - база емітера (R2)
100kOhms
Коефіцієнт посилення постійного струму (hFE) (хв) @ IC, Vce
80 @ 5mA, 10V
Vce Насиченість (макс) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Струм - граничний струм колектора (макс.)
500nA
Частота - перехідний
-
Потужність - Макс
500mW
Тип кріплення
Surface Mount
Упаковка / Чохол
SOT-563, SOT-666
Пакет пристроїв від постачальника
SOT-563
Базовий номер товару
NSBC115
Технічний опис та документи
Таблиці даних
Додаткова інформація
Стандартний пакет
4,000
Інші назви
NSBC115EDXV6T1GOSCT
=NSBC115EDXV6T1GOSCT-DG
ONSONSNSBC115EDXV6T1G
NSBC115EDXV6T1GOSTR
NSBC115EDXV6T1GOSCT-DG
NSBC115EDXV6T1GOSTR-DG
488-NSBC115EDXV6T1GCT
488-NSBC115EDXV6T1GDKR
488-NSBC115EDXV6T1GTR
NSBC115EDXV6T1G-DG
2832-NSBC115EDXV6T1GTR
2156-NSBC115EDXV6T1G-OS
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.21.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
SMUN5233DW1T1G
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
EMG2DXV5T1
TRANS 2NPN PREBIAS 0.23W SOT553
NSVBC114YDXV6T1G
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563