Номер продукту виробника:
NDT01N60T1G
Product Overview
Виробник:
onsemi
Номер частини:
NDT01N60T1G-DG
Опис:
MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
Докладний опис:
N-Channel 600 V 400mA (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-223 (TO-261)
Інвентаризація:
12841772
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
MlPV
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
NDT01N60T1G Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
-
Ряд
-
Статус товару
Obsolete
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
600 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
400mA (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
8.5Ohm @ 200mA, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
3.7V @ 50µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
7.2 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
160 pF @ 25 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
2.5W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
SOT-223 (TO-261)
Упаковка / Чохол
TO-261-4, TO-261AA
Базовий номер товару
NDT01
Технічний опис та документи
Таблиці даних
Додаткова інформація
Стандартний пакет
1,000
Інші назви
NDT01N60T1GOSCT
2156-DGT01N60T1G-ONTR-DG
NDT01N60T1GOSTR
NDT01N60T1G-DG
2156-NDT01N60T1G
NDT01N60T1GOSDKR
ONSONSNDT01N60T1G
Екологічна та експортна класифікація
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Альтернативні моделі
Номер частини
STN1HNK60
ВИРОБНИК
STMicroelectronics
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
45248
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
STN1HNK60-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
0.37
Тип заміни
Direct
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
NTBS2D7N06M7
MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK-3
NTMFS5C628NLT3G
MOSFET N-CH 60V 5DFN
NVMFS5C670NLT1G
MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN
