NDS352AP

Номер продукту виробника:

NDS352AP

Product Overview

Виробник:

onsemi

Номер частини:

NDS352AP-DG

Опис:

MOSFET P-CH 30V 900MA SUPERSOT3

Докладний опис:

P-Channel 30 V 900mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Інвентаризація:

6204 Штук Новий Оригінал В наявності

12857896

Запросити ціну

Кількість
Мінімум 1

(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин

ПОДАТИ

NDS352AP Технічні специфікації

Категорія

ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET

Виробник

onsemi

Упаковка

Tape & Reel (TR)

Ряд

-

Статус товару

Active

Тип польового транзистора

P-Channel

Технології

MOSFET (Metal Oxide)

Напруга від стоку до джерела (Vdss)

30 V

Струм - безперервний стік (id) @ 25°C

900mA (Ta)

Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)

4.5V, 10V

Rds On (Макс) @ id, vgs

300mOhm @ 1A, 10V

vgs(th) (макс.) @ id

2.5V @ 250µA

Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs

3 nC @ 4.5 V

Vgs (макс.)

±20V

Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds

135 pF @ 15 V

Функція польового транзистора

-

Розсіювання потужності (макс.)

500mW (Ta)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип кріплення

Surface Mount

Пакет пристроїв від постачальника

SOT-23-3

Упаковка / Чохол

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Базовий номер товару

NDS352

Технічний опис та документи

Технічні специфікації

HTML Технічний лист

Таблиці даних

Додаткова інформація

Стандартний пакет

3,000

Інші назви

NDS352AP-DG

NDS352APTR-NDR

NDS352APCT-NDR

NDS352APDKR

NDS352APTR

NDS352APCT

Екологічна та експортна класифікація

Статус RoHS

ROHS3 Compliant

Рівень чутливості до вологи (MSL)

1 (Unlimited)

Статус REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

Ледар Вт Івана

8541.21.0095

Сертифікація DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Суміжні продукти

renesas-electronics-america

RJK2006DPE-00#J3

MOSFET N-CH 200V 40A 4LDPAK

onsemi

NVJS4151PT1G

MOSFET P-CH 20V 3.2A SC88

onsemi

NTD20N06T4

MOSFET N-CH 60V 20A DPAK

onsemi

NTD5867NLT4G

MOSFET N-CH 60V 20A DPAK