Головна
Продукти
Виробники
Про DiGi
Зв'язатися з нами
Блоги та пости
Запит на ціну/Цитата
Ukraine
Увійти
Вибіркова мова
Поточна мова на ваш вибір:
Ukraine
Перемикання:
Англійська
Європа
Великобританія
ДР Конго
Аргентина
Туреччина
Румунія
Литва
Норвегія
Австрія
Ангола
Словакія
Ltaly
Фінляндія
Білорусь
Болгарія
Данія
Естонія
Польща
Україна
Словенія
Чеська
Грецька
Хорватія
Ізраїль
Чорногорія
Російська
Бельгія
Швеція
Сербія
Баскська
Ісландія
Боснії
Угорська
Молдова
Німеччина
Нідерланди
Ірландія
Азіатсько-Тихоокеанський регіон
Китай
Вʼєтнам
Індонезія
Таїланд
Лаос
Філіппінська
Малайзія
Корея
Японія
Гонконг
Тайвань
Сінґапур
Пакистан
Саудівська Аравія
Катар
Кувейт
Камбоджа
М'янма
Африка, Індія та Близький Схід
Об'єднані Арабські Емірати
Таджикистан
Мадагаскар
Індія
Іран
Франція
Південно-Африканська Республіка
Єгипет
Кенія
Танзанія
Гана
Сенегал
Марокко
Туніс
Південна Америка / Океанія
Нова Зеландія
Португалія
Бразилія
Мозамбік
Перу
Колумбія
Чилі
Венесуела
Еквадор
Болівія
Уруґвай
Іспанія
Парагвай
Австралія
Північна Америка
США
Гаїті
Канада
Коста-Ріка
Мексика
Про DiGi
Про нас
Про нас
Наші сертифікації
DiGi Вступ
Чому DiGi
Політика
Політика якості
Умови використання
Відповідність RoHS
Процес повернення
Ресурси
Категорії продуктів
Виробники
Блоги та пости
Послуги
Гарантія якості
Спосіб оплати
Глобальна доставка
Тарифи на доставку
Часті запитання
Номер продукту виробника:
MUN5212T1G
Product Overview
Виробник:
onsemi
Номер частини:
MUN5212T1G-DG
Опис:
TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Докладний опис:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 202 mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
Інвентаризація:
12576 Штук Новий Оригінал В наявності
12853109
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
*
Компанія
*
Ім'я контакту
*
Телефон
*
Електронна пошта
Адреса доставки
Повідомлення
(
*
) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
MUN5212T1G Технічні специфікації
Категорія
Біполярний транзистор (BJT), Одинарні, попередньо біасовані біполярні транзистори
Виробник
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
-
Статус товару
Active
Тип транзистора
NPN - Pre-Biased
Струм - колектор (Ic) (макс.)
100 mA
Напруга - пробій колекторного випромінювача (макс)
50 V
Резистор - база (R1)
22 kOhms
Резистор - база емітера (R2)
2.2 kOhms
Коефіцієнт посилення постійного струму (hFE) (хв) @ IC, Vce
60 @ 5mA, 10V
Vce Насиченість (макс) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Струм - граничний струм колектора (макс.)
500nA
Потужність - Макс
202 mW
Тип кріплення
Surface Mount
Упаковка / Чохол
SC-70, SOT-323
Пакет пристроїв від постачальника
SC-70-3 (SOT323)
Базовий номер товару
MUN5212
Технічний опис та документи
Технічні специфікації
MUN5212T1G
HTML Технічний лист
MUN5212T1G-DG
Таблиці даних
MUN(2,5)212, MMUN2212L, DTC1234Exx, NSBC124EF3
Додаткова інформація
Стандартний пакет
3,000
Інші назви
2156-MUN5212T1G-OS
ONSONSMUN5212T1G
MUN5212T1GOSDKR
MUN5212T1GOSCT
MUN5212T1GOSTR
MUN5212T1G-DG
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.21.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
MMUN2213LT1G
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
MUN2116T1G
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
MMUN2137LT1G
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
MUN2240T1G
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59