MUN5113DW1T1
Номер продукту виробника:

MUN5113DW1T1

Product Overview

Виробник:

onsemi

Номер частини:

MUN5113DW1T1-DG

Опис:

TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Докладний опис:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 187mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363

Інвентаризація:

7788 Штук Новий Оригінал В наявності
12936241
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
num_del num_add
*
*
*
*
axGj
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ

MUN5113DW1T1 Технічні специфікації

Категорія
Біполярний транзистор (BJT), Біполярні транзисторні масиви, попередньо біасовані
Виробник
onsemi
Упаковка
Bulk
Ряд
-
Статус товару
Active
Тип транзистора
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Струм - колектор (Ic) (макс.)
100mA
Напруга - пробій колекторного випромінювача (макс)
50V
Резистор - база (R1)
47kOhm
Резистор - база емітера (R2)
47kOhm
Коефіцієнт посилення постійного струму (hFE) (хв) @ IC, Vce
80 @ 5mA, 10V
Vce Насиченість (макс) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Струм - граничний струм колектора (макс.)
500nA
Частота - перехідний
-
Потужність - Макс
187mW
Клас
Automotive
Кваліфікації
AEC-Q101
Тип кріплення
Surface Mount
Упаковка / Чохол
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Пакет пристроїв від постачальника
SC-88/SC70-6/SOT-363

Технічний опис та документи

Таблиці даних

Додаткова інформація

Стандартний пакет
7,788
Інші назви
ONSONSMUN5113DW1T1
2156-MUN5113DW1T1

Екологічна та експортна класифікація

Статус RoHS
RoHS non-compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.21.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
renesas-electronics-america

HD1A3M(0)-T1-AZ

TRANSISTOR NPN SC62-3

nxp-semiconductors

PUMH13/ZL115

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR

nxp-semiconductors

PUMB2/L135

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR

nxp-semiconductors

PUMH2/HE115

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR