FQU5P20TU

Номер продукту виробника:

FQU5P20TU

Product Overview

Виробник:

onsemi

Номер частини:

FQU5P20TU-DG

Опис:

MOSFET P-CH 200V 3.7A IPAK

Докладний опис:

P-Channel 200 V 3.7A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Through Hole IPAK

Інвентаризація:

Запит на пропозицію онлайн

12846412

Запросити ціну

Кількість
Мінімум 1

(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин

ПОДАТИ

FQU5P20TU Технічні специфікації

Категорія

ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET

Виробник

onsemi

Упаковка

-

Ряд

QFET®

Статус товару

Obsolete

Тип польового транзистора

P-Channel

Технології

MOSFET (Metal Oxide)

Напруга від стоку до джерела (Vdss)

200 V

Струм - безперервний стік (id) @ 25°C

3.7A (Tc)

Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)

10V

Rds On (Макс) @ id, vgs

1.4Ohm @ 1.85A, 10V

vgs(th) (макс.) @ id

5V @ 250µA

Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs

13 nC @ 10 V

Vgs (макс.)

±30V

Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds

430 pF @ 25 V

Функція польового транзистора

-

Розсіювання потужності (макс.)

2.5W (Ta), 45W (Tc)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип кріплення

Through Hole

Пакет пристроїв від постачальника

IPAK

Упаковка / Чохол

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Базовий номер товару

FQU5P20

Технічний опис та документи

Технічні специфікації

HTML Технічний лист

Таблиці даних

Додаткова інформація

Стандартний пакет

70

Інші назви

FQU5P20TUOS

FQU5P20TU-DG

Екологічна та експортна класифікація

Статус RoHS

ROHS3 Compliant

Рівень чутливості до вологи (MSL)

Not Applicable

Статус REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

Ледар Вт Івана

8541.29.0095

Сертифікація DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Суміжні продукти

alpha-and-omega-semiconductor

AOD2N100

MOSFET N-CH 1000V 2A TO252

MT8386M5

MOSFET N-CH 30V

alpha-and-omega-semiconductor

AOT7N65

MOSFET N-CH 650V 7A TO220

onsemi

FCB260N65S3

MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK