Номер продукту виробника:
FQU1N60TU
Product Overview
Виробник:
onsemi
Номер частини:
FQU1N60TU-DG
Опис:
MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
Докладний опис:
N-Channel 600 V 1A (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) Through Hole I-PAK
Інвентаризація:
12838625
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
FQU1N60TU Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
-
Ряд
QFET®
Статус товару
Obsolete
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
600 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
1A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
11.5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
5V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
150 pF @ 25 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
2.5W (Ta), 30W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Through Hole
Пакет пристроїв від постачальника
I-PAK
Упаковка / Чохол
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Базовий номер товару
FQU1
Технічний опис та документи
Технічні специфікації
HTML Технічний лист
Додаткова інформація
Стандартний пакет
5,040
Екологічна та експортна класифікація
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Альтернативні моделі
Номер частини
STD1NK60-1
ВИРОБНИК
STMicroelectronics
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
5751
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
STD1NK60-1-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
0.38
Тип заміни
Similar
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
FDS4480
MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC
BSS84PL6327HTSA1
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
FQU11P06TU
MOSFET P-CH 60V 9.4A IPAK
