Номер продукту виробника:
FQU12N20TU
Product Overview
Виробник:
onsemi
Номер частини:
FQU12N20TU-DG
Опис:
MOSFET N-CH 200V 9A IPAK
Докладний опис:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Through Hole IPAK
Інвентаризація:
12849656
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
FQU12N20TU Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
-
Ряд
QFET®
Статус товару
Obsolete
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
200 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
9A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
280mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
5V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
910 pF @ 25 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
2.5W (Ta), 55W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Through Hole
Пакет пристроїв від постачальника
IPAK
Упаковка / Чохол
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Базовий номер товару
FQU12N20
Технічний опис та документи
Додаткова інформація
Стандартний пакет
5,040
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
FQI1P50TU
MOSFET P-CH 500V 1.5A I2PAK
MTP50P03HDLG
MOSFET P-CH 30V 50A TO220AB
AOB4184
MOSFET N-CH 40V 12A/50A TO263
