Номер продукту виробника:
FQT4N20LTF
Product Overview
Виробник:
onsemi
Номер частини:
FQT4N20LTF-DG
Опис:
MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4
Докладний опис:
N-Channel 200 V 850mA (Tc) 2.2W (Tc) Surface Mount SOT-223-4
Інвентаризація:
50 Штук Новий Оригінал В наявності
12840019
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
FQT4N20LTF Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
QFET®
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
200 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
850mA (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
5V, 10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
1.35Ohm @ 425mA, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
2V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
5.2 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
310 pF @ 25 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
2.2W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
SOT-223-4
Упаковка / Чохол
TO-261-4, TO-261AA
Базовий номер товару
FQT4N20
Технічний опис та документи
Додаткова інформація
Стандартний пакет
4,000
Інші назви
FQT4N20LTFDKR
FAIFSCFQT4N20LTF
FQT4N20LTF-DG
FQT4N20LTFTR
FQT4N20LTFCT
2156-FQT4N20LTF-OS
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Альтернативні моделі
Номер частини
BSP297H6327XTSA1
ВИРОБНИК
Infineon Technologies
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
7629
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
BSP297H6327XTSA1-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
0.30
Тип заміни
Similar
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
FQP2N90
MOSFET N-CH 900V 2.2A TO220-3
NTD25P03LT4G
MOSFET P-CH 30V 25A DPAK
NVMFS6B25NLT1G
MOSFET N-CH 100V 8A/33A 5DFN
