Номер продукту виробника:
FQPF9P25
Product Overview
Виробник:
onsemi
Номер частини:
FQPF9P25-DG
Опис:
MOSFET P-CH 250V 6A TO220F-3
Докладний опис:
P-Channel 250 V 6A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Інвентаризація:
329 Штук Новий Оригінал В наявності
12849741
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
FQPF9P25 Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
Tube
Ряд
QFET®
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
P-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
250 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
6A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
620mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
5V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
1180 pF @ 25 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
50W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Through Hole
Пакет пристроїв від постачальника
TO-220F-3
Упаковка / Чохол
TO-220-3 Full Pack
Базовий номер товару
FQPF9
Технічний опис та документи
Додаткова інформація
Стандартний пакет
50
Інші назви
FQPF9P25-DG
FQPF9P25FS
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
FDP13AN06A0
MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A TO220
BFL4036-1E
MOSFET N-CH 500V 9.6A TO220F-3FS
BSS123LT7G
MOSFET N-CH 100V 15UA SOT23
