Номер продукту виробника:
FQPF33N10
Product Overview
Виробник:
onsemi
Номер частини:
FQPF33N10-DG
Опис:
MOSFET N-CH 100V 18A TO220F
Докладний опис:
N-Channel 100 V 18A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Інвентаризація:
202 Штук Новий Оригінал В наявності
12839473
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
FQPF33N10 Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
Tube
Ряд
QFET®
Статус товару
Obsolete
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
100 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
18A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
52mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
1500 pF @ 25 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
41W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип кріплення
Through Hole
Пакет пристроїв від постачальника
TO-220F-3
Упаковка / Чохол
TO-220-3 Full Pack
Базовий номер товару
FQPF3
Технічний опис та документи
Таблиці даних
Додаткова інформація
Стандартний пакет
1,000
Інші назви
ONSONSFQPF33N10
2156-FQPF33N10-OS
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
FQPF5P10
MOSFET P-CH 100V 2.9A TO220F
FDC637BNZ
MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
FQB34P10TM-F085P
MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
