Номер продукту виробника:
FQP9N08L
Product Overview
Виробник:
onsemi
Номер частини:
FQP9N08L-DG
Опис:
MOSFET N-CH 80V 9.3A TO220-3
Докладний опис:
N-Channel 80 V 9.3A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220-3
Інвентаризація:
12847026
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
FQP9N08L Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
-
Ряд
QFET®
Статус товару
Obsolete
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
80 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
9.3A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
5V, 10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
210mOhm @ 4.65A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
5V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
6.1 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
280 pF @ 25 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
40W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Through Hole
Пакет пристроїв від постачальника
TO-220-3
Упаковка / Чохол
TO-220-3
Базовий номер товару
FQP9
Технічний опис та документи
Технічні специфікації
HTML Технічний лист
Додаткова інформація
Стандартний пакет
1,000
Екологічна та експортна класифікація
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
FCP650N80Z
MOSFET N-CH 800V 10A TO220
FCPF190N65S3L1
MOSFET N-CH 650V 14A TO220F-3
FQT1N80TF-WS
MOSFET N-CH 800V 200MA SOT223-3
