Номер продукту виробника:
FQP8P10
Product Overview
Виробник:
onsemi
Номер частини:
FQP8P10-DG
Опис:
MOSFET P-CH 100V 8A TO220-3
Докладний опис:
P-Channel 100 V 8A (Tc) 65W (Tc) Through Hole TO-220-3
Інвентаризація:
12849048
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
FQP8P10 Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
-
Ряд
QFET®
Статус товару
Obsolete
Тип польового транзистора
P-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
100 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
8A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
530mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
470 pF @ 25 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
65W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип кріплення
Through Hole
Пакет пристроїв від постачальника
TO-220-3
Упаковка / Чохол
TO-220-3
Базовий номер товару
FQP8
Технічний опис та документи
Додаткова інформація
Стандартний пакет
50
Інші назви
FQP8P10-DG
ONSONSFQP8P10
FQP8P10FS
2156-FQP8P10-OS
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Альтернативні моделі
Номер частини
FQP17P10
ВИРОБНИК
onsemi
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
0
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
FQP17P10-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
0.64
Тип заміни
MFR Recommended
Номер частини
IRF9520NPBF
ВИРОБНИК
Infineon Technologies
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
384
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
IRF9520NPBF-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
0.73
Тип заміни
Similar
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
FQPF6N40CT
MOSFET N-CH 400V 6A TO220F
AOT14N50FD
MOSFET N-CH 500V 14A TO220
FQT13N06TF
MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4
