Номер продукту виробника:
FQP6N80C
Product Overview
Виробник:
onsemi
Номер частини:
FQP6N80C-DG
Опис:
MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220-3
Докладний опис:
N-Channel 800 V 5.5A (Tc) 158W (Tc) Through Hole TO-220-3
Інвентаризація:
344 Штук Новий Оригінал В наявності
12839652
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
FQP6N80C Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
Tube
Ряд
QFET®
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
800 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
2.5Ohm @ 2.75A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
5V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
1310 pF @ 25 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
158W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Through Hole
Пакет пристроїв від постачальника
TO-220-3
Упаковка / Чохол
TO-220-3
Базовий номер товару
FQP6
Технічний опис та документи
Додаткова інформація
Стандартний пакет
50
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
FDT3N40TF
MOSFET N-CH 400V 2A SOT223-4
FQP7P20
MOSFET P-CH 200V 7.3A TO220-3
FDS4080N3
MOSFET N-CH 40V 13A 8SO
