Номер продукту виробника:
FQP4N90C
Product Overview
Виробник:
onsemi
Номер частини:
FQP4N90C-DG
Опис:
MOSFET N-CH 900V 4A TO220-3
Докладний опис:
N-Channel 900 V 4A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220-3
Інвентаризація:
12838746
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
vYqn
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
FQP4N90C Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
-
Ряд
QFET®
Статус товару
Obsolete
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
900 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
4A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
4.2Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
5V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
960 pF @ 25 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
140W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Through Hole
Пакет пристроїв від постачальника
TO-220-3
Упаковка / Чохол
TO-220-3
Базовий номер товару
FQP4
Технічний опис та документи
Таблиці даних
Додаткова інформація
Стандартний пакет
50
Інші назви
2832-FQP4N90C
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Альтернативні моделі
Номер частини
STP3NK90Z
ВИРОБНИК
STMicroelectronics
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
361
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
STP3NK90Z-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
0.77
Тип заміни
Similar
Номер частини
FQP9N90C
ВИРОБНИК
onsemi
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
194
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
FQP9N90C-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
1.69
Тип заміни
MFR Recommended
Номер частини
IXTP3N120
ВИРОБНИК
IXYS
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
0
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
IXTP3N120-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
4.06
Тип заміни
Similar
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
FDP070AN06A0
MOSFET N-CH 60V 15A/80A TO220-3
FDD86367
MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
HUFA76443S3S
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK