Номер продукту виробника:
FQP3N60C
Product Overview
Виробник:
onsemi
Номер частини:
FQP3N60C-DG
Опис:
MOSFET N-CH 600V 3A TO220-3
Докладний опис:
N-Channel 600 V 3A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220-3
Інвентаризація:
9899 Штук Новий Оригінал В наявності
12837594
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
FQP3N60C Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
Tube
Ряд
QFET®
Статус товару
Obsolete
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
600 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
3A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
3.4Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
565 pF @ 25 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
75W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Through Hole
Пакет пристроїв від постачальника
TO-220-3
Упаковка / Чохол
TO-220-3
Базовий номер товару
FQP3
Технічний опис та документи
Додаткова інформація
Стандартний пакет
50
Інші назви
FQP3N60CFS
FQP3N60C-DG
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Альтернативні моделі
Номер частини
STP4NK60Z
ВИРОБНИК
STMicroelectronics
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
851
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
STP4NK60Z-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
0.65
Тип заміни
Similar
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
HUFA75429D3ST
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
FDP2670
MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3
FQP70N08
MOSFET N-CH 80V 70A TO220-3
