Номер продукту виробника:
FQD4P25TM-WS
Product Overview
Виробник:
onsemi
Номер частини:
FQD4P25TM-WS-DG
Опис:
MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK
Докладний опис:
P-Channel 250 V 3.1A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Інвентаризація:
12839414
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
NdEc
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
FQD4P25TM-WS Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
-
Ряд
QFET®
Статус товару
Obsolete
Тип польового транзистора
P-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
250 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
3.1A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
2.1Ohm @ 1.55A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
5V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
420 pF @ 25 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
2.5W (Ta), 45W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
TO-252AA
Упаковка / Чохол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовий номер товару
FQD4P25
Технічний опис та документи
Додаткова інформація
Стандартний пакет
2,500
Інші назви
FQD4P25TM_WS-DG
FQD4P25TM_WSDKR-DG
FQD4P25TM-WSDKR
FQD4P25TM-WSTR
FQD4P25TM_WS
FQD4P25TM-WSCT
FQD4P25TM_WSDKR
FQD4P25TM_WSTR
FQD4P25TM_WSCT-DG
FQD4P25TM_WSCT
FQD4P25TM_WSTR-DG
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
FDS7288N3
MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
NTD4906NA-35G
MOSFET N-CH 30V 10.3A/54A IPAK
FQPF3N25
MOSFET N-CH 250V 2.3A TO220F