Головна
Продукти
Виробники
Про DiGi
Зв'язатися з нами
Блоги та пости
Запит на ціну/Цитата
Ukraine
Увійти
Вибіркова мова
Поточна мова на ваш вибір:
Ukraine
Перемикання:
Англійська
Європа
Великобританія
ДР Конго
Аргентина
Туреччина
Румунія
Литва
Норвегія
Австрія
Ангола
Словакія
Ltaly
Фінляндія
Білорусь
Болгарія
Данія
Естонія
Польща
Україна
Словенія
Чеська
Грецька
Хорватія
Ізраїль
Чорногорія
Російська
Бельгія
Швеція
Сербія
Баскська
Ісландія
Боснії
Угорська
Молдова
Німеччина
Нідерланди
Ірландія
Азіатсько-Тихоокеанський регіон
Китай
Вʼєтнам
Індонезія
Таїланд
Лаос
Філіппінська
Малайзія
Корея
Японія
Гонконг
Тайвань
Сінґапур
Пакистан
Саудівська Аравія
Катар
Кувейт
Камбоджа
М'янма
Африка, Індія та Близький Схід
Об'єднані Арабські Емірати
Таджикистан
Мадагаскар
Індія
Іран
Франція
Південно-Африканська Республіка
Єгипет
Кенія
Танзанія
Гана
Сенегал
Марокко
Туніс
Південна Америка / Океанія
Нова Зеландія
Португалія
Бразилія
Мозамбік
Перу
Колумбія
Чилі
Венесуела
Еквадор
Болівія
Уруґвай
Іспанія
Парагвай
Австралія
Північна Америка
США
Гаїті
Канада
Коста-Ріка
Мексика
Про DiGi
Про нас
Про нас
Наші сертифікації
DiGi Вступ
Чому DiGi
Політика
Політика якості
Умови використання
Відповідність RoHS
Процес повернення
Ресурси
Категорії продуктів
Виробники
Блоги та пости
Послуги
Гарантія якості
Спосіб оплати
Глобальна доставка
Тарифи на доставку
Часті запитання
Номер продукту виробника:
FQD4P25TM-WS
Product Overview
Виробник:
onsemi
Номер частини:
FQD4P25TM-WS-DG
Опис:
MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK
Докладний опис:
P-Channel 250 V 3.1A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Інвентаризація:
Запит на пропозицію онлайн
12839414
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
*
Компанія
*
Ім'я контакту
*
Телефон
*
Електронна пошта
Адреса доставки
Повідомлення
3
5
3
4
(
*
) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
FQD4P25TM-WS Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
-
Ряд
QFET®
Статус товару
Obsolete
Тип польового транзистора
P-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
250 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
3.1A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
2.1Ohm @ 1.55A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
5V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
420 pF @ 25 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
2.5W (Ta), 45W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
TO-252AA
Упаковка / Чохол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовий номер товару
FQD4P25
Технічний опис та документи
Технічні специфікації
FQD4P25TM-WS
HTML Технічний лист
FQD4P25TM-WS-DG
Таблиці даних
FQD4P25TM_WS
Додаткова інформація
Стандартний пакет
2,500
Інші назви
FQD4P25TM_WS-DG
FQD4P25TM_WSDKR-DG
FQD4P25TM-WSDKR
FQD4P25TM-WSTR
FQD4P25TM_WS
FQD4P25TM-WSCT
FQD4P25TM_WSDKR
FQD4P25TM_WSTR
FQD4P25TM_WSCT-DG
FQD4P25TM_WSCT
FQD4P25TM_WSTR-DG
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
FDS7288N3
MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
NTD4906NA-35G
MOSFET N-CH 30V 10.3A/54A IPAK
FQPF3N25
MOSFET N-CH 250V 2.3A TO220F
FDS7088N7
MOSFET N-CH 30V 23A 8SO