Номер продукту виробника:
FQD19N10LTM
Product Overview
Виробник:
onsemi
Номер частини:
FQD19N10LTM-DG
Опис:
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Докладний опис:
N-Channel 100 V 15.6A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Інвентаризація:
9224 Штук Новий Оригінал В наявності
12848929
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
FQD19N10LTM Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
QFET®
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
100 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
15.6A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
5V, 10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
100mOhm @ 7.8A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
2V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
18 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
870 pF @ 25 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
TO-252AA
Упаковка / Чохол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовий номер товару
FQD19N10
Технічний опис та документи
Таблиці даних
Додаткова інформація
Стандартний пакет
2,500
Інші назви
ONSONSFQD19N10LTM
2156-FQD19N10LTM-OS
FQD19N10LTMCT
FQD19N10LTM-DG
FQD19N10LTMTR
FQD19N10LTMDKR
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
AOD4132
MOSFET N-CH 30V 85A TO252
FCH041N65EF-F155
MOSFET N-CH 650V 76A TO247
BSO200N03S
MOSFET N-CH 30V 7A 8DSO
