Номер продукту виробника:
FQB6N50TM
Product Overview
Виробник:
onsemi
Номер частини:
FQB6N50TM-DG
Опис:
MOSFET N-CH 500V 5.5A D2PAK
Докладний опис:
N-Channel 500 V 5.5A (Tc) 3.13W (Ta), 130W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Інвентаризація:
12848026
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
FQB6N50TM Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
-
Ряд
QFET®
Статус товару
Obsolete
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
500 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
1.3Ohm @ 2.8A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
5V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
790 pF @ 25 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
3.13W (Ta), 130W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чохол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовий номер товару
FQB6
Технічний опис та документи
Технічні специфікації
HTML Технічний лист
Додаткова інформація
Стандартний пакет
800
Екологічна та експортна класифікація
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Альтернативні моделі
Номер частини
IXTA3N50D2
ВИРОБНИК
IXYS
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
95
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
IXTA3N50D2-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
2.25
Тип заміни
Similar
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
FDH055N15A
MOSFET N-CH 150V 158A TO247-3
FDPF12N50UT
MOSFET N-CH 500V 10A TO220F
FQA160N08
MOSFET N-CH 80V 160A TO3PN
