FDV303N
Номер продукту виробника:

FDV303N

Product Overview

Виробник:

onsemi

Номер частини:

FDV303N-DG

Опис:

MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Докладний опис:
N-Channel 25 V 680mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Інвентаризація:

86301 Штук Новий Оригінал В наявності
12850112
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ

FDV303N Технічні специфікації

Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
-
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
25 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
680mA (Ta)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
2.7V, 4.5V
Rds On (Макс) @ id, vgs
450mOhm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id
1.5V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
2.3 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
50 pF @ 10 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
350mW (Ta)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
SOT-23-3
Упаковка / Чохол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Базовий номер товару
FDV303

Технічний опис та документи

Технічні специфікації
HTML Технічний лист
Таблиці даних

Додаткова інформація

Стандартний пакет
3,000
Інші назви
FDV303NCT
2156-FDV303N-OS
FDV303NCT-NDR
FDV303NDKR
FDV303NTR
ONSONSFDV303N
FDV303NTR-NDR

Екологічна та експортна класифікація

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.21.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
onsemi

IRF840B

MOSFET N-CH 500V 8A TO220-3

onsemi

FQD6N50CTM

MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK

alpha-and-omega-semiconductor

AOL1413

MOSFET P-CH 30V 38A ULTRASO-8

onsemi

FQD4N20LTF

MOSFET N-CH 200V 3.2A DPAK