Номер продукту виробника:
FDT86113LZ
Product Overview
Виробник:
onsemi
Номер частини:
FDT86113LZ-DG
Опис:
MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4
Докладний опис:
N-Channel 100 V 3.3A (Tc) 2.2W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
Інвентаризація:
43059 Штук Новий Оригінал В наявності
12849674
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
Ew21
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
FDT86113LZ Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
PowerTrench®
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
100 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
3.3A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
4.5V, 10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
100mOhm @ 3.3A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
2.5V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
6.8 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
315 pF @ 50 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
2.2W (Ta)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
SOT-223-4
Упаковка / Чохол
TO-261-4, TO-261AA
Базовий номер товару
FDT86113
Технічний опис та документи
Додаткова інформація
Стандартний пакет
4,000
Інші назви
FDT86113LZDKR
FDT86113LZCT
FDT86113LZ-DG
FDT86113LZTR
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
FDP5800
MOSFET N-CH 60V 14A/80A TO220-3
FDC365P
MOSFET P-CH 35V 4.3A SUPERSOT6
FDWS5360L-F085
MOSFET N-CH 60V 60A POWER56
