FDS8896
Номер продукту виробника:

FDS8896

Product Overview

Виробник:

onsemi

Номер частини:

FDS8896-DG

Опис:

MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
Докладний опис:
N-Channel 30 V 15A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Інвентаризація:

15395 Штук Новий Оригінал В наявності
12851886
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ

FDS8896 Технічні специфікації

Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
PowerTrench®
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
30 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
15A (Ta)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
4.5V, 10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
6mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
2.5V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
2525 pF @ 15 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
2.5W (Ta)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
8-SOIC
Упаковка / Чохол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Базовий номер товару
FDS88

Технічний опис та документи

Технічні специфікації
HTML Технічний лист
Таблиці даних

Додаткова інформація

Стандартний пакет
2,500
Інші назви
FDS8896DKR
FDS8896CT
FDS8896TR
FDS8896-DG

Екологічна та експортна класифікація

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
onsemi

FDT439N

MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT223-4

vishay-siliconix

IRFP15N60LPBF

MOSFET N-CH 600V 15A TO247-3

infineon-technologies

BSC884N03MS G

MOSFET N-CH 34V 17A/85A TDSON

vishay-siliconix

IRF730ALPBF

MOSFET N-CH 400V 5.5A I2PAK