Номер продукту виробника:
FDS8870
Product Overview
Виробник:
onsemi
Номер частини:
FDS8870-DG
Опис:
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
Докладний опис:
N-Channel 30 V 18A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Інвентаризація:
2621 Штук Новий Оригінал В наявності
12848076
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
zTY6
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
FDS8870 Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
PowerTrench®
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
30 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
18A (Ta)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
4.5V, 10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
4.2mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
2.5V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
112 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
4615 pF @ 15 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
2.5W (Ta)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
8-SOIC
Упаковка / Чохол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Базовий номер товару
FDS88
Технічний опис та документи
Таблиці даних
Додаткова інформація
Стандартний пакет
2,500
Інші назви
FDS8870FSTR
FDS8870FSCT
FAIFSCFDS8870
FDS8870-DG
2156-FDS8870-OS
FDS8870FSDKR
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
FQP11N50CF
MOSFET N-CH 500V 11A TO220-3
BSO080P03SNTMA1
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
FDB52N20TM
MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
