Номер продукту виробника:
FDS8813NZ
Product Overview
Виробник:
onsemi
Номер частини:
FDS8813NZ-DG
Опис:
MOSFET N-CH 30V 18.5A 8SOIC
Докладний опис:
N-Channel 30 V 18.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Інвентаризація:
69179 Штук Новий Оригінал В наявності
12847562
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
FDS8813NZ Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
PowerTrench®
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
30 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
18.5A (Ta)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
4.5V, 10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
4.5mOhm @ 18.5A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
3V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
76 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
4145 pF @ 15 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
2.5W (Ta)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
8-SOIC
Упаковка / Чохол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Базовий номер товару
FDS8813
Технічний опис та документи
Таблиці даних
Додаткова інформація
Стандартний пакет
2,500
Інші назви
FDS8813NZDKR
ONSONSFDS8813NZ
FDS8813NZTR
2156-FDS8813NZ-OS
FDS8813NZCT
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
NTD5C688NLT4G
MOSFET N-CH 60V 7.5A/17A DPAK
CPH3348-TL-W
MOSFET P-CH 12V 3A 3CPH
NTHL190N65S3HF
MOSFET N-CH 650V 20A TO247-3
